從光伏儲能應用角度看第三代半導體發展狀況
作者 | 發布日期 2022 年 05 月 12 日 7:30 | 分類 技術分析 , 會員專區 , 材料、設備 line share follow us in feedly line share
從光伏儲能應用角度看第三代半導體發展狀況


隨著全球環境不斷惡化與化石能源耗盡，世界各國都紛紛找尋適合人類生存發展的新型能源，建設光伏儲能項目是當下實行能源轉型的重要措施。第三代半導體具有高頻、高功率、耐高壓、耐高溫、抗輻射等特性，能促進光伏儲能逆變器走向高效、高可靠性、低成本化，推動能源綠色低碳發展。

本篇文章將帶你了解 :
  • SiC將大量應用於大功率組串/集中式逆變器
  • 關鍵SiC襯底對第三代半導體發展至關重要

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