三星率先發表 3 奈米 GAA 晶片,專家:達到宣傳效果

作者 | 發布日期 2022 年 07 月 26 日 8:36 | 分類 半導體 , 晶圓 , 晶片 line share follow us in feedly line share
三星率先發表 3 奈米 GAA 晶片,專家:達到宣傳效果


南韓三星電子 25 日盛大發表 3 奈米 GAA 晶片,是全球首款 3 奈米晶片,搶先台積電一步。產業專家表示,三星已達到宣傳效果,應可吸引潛在客戶的關注。

三星(Samsung)甫於6月30日宣布3奈米環繞閘極(GAA)技術量產,25日在京畿道華城廠區內舉行3奈米GAA晶片產品出廠紀念活動,南韓產業通商資源部長李昌洋以及員工和合作商有關人士,共100多人出席活動。

針對外界先前質疑3奈米GAA技術沒有外部客戶,三星特地說明,3奈米GAA技術將先用於高速運算,並計劃與主要合作商攜手擴至系統單晶片等多種產品群;此外,未來平澤廠區也將量產3奈米GAA晶片。

工研院產科國際所研究總監楊瑞臨向《中央社》記者表示,全球GAA生態系統還未完全到位,尚無最佳解決方案,預期在成本高、良率低的情況下,三星恐難以建立成本模型。

楊瑞臨指出,三星宣稱領先全球量產3奈GAA晶片,已達到宣傳效果,引起國際高度關注,預料將吸引三星潛在客戶的關心,進而增加接觸機會。

楊瑞臨認為,三星與台積電已不再只是技術方面的競爭,三星開始採取戰術、戰略,台積電不可輕忽;三星平澤廠是重要觀察指標,若平澤廠建置3奈米GAA產線,可能意味著三星這次宣傳策略奏效,成功吸引客戶。

(作者:張建中;首圖來源:shutterstock)

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