三星宣布量產 236 層堆疊 3D NAND Flash 快閃記憶體晶片
作者 | 發布日期 2022 年 11 月 08 日 11:10 | 分類 Samsung , 半導體 , 會員專區 line share Linkedin share follow us in feedly line share
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三星宣布量產 236 層堆疊 3D NAND Flash 快閃記憶體晶片

面對競爭對手美光及 SK 海力士，雖然還沒有發表任何產品，但三星仍宣布開始大規模生產 236 層 3D NAND Flash 快閃記憶體晶片，命名為第八代 V-NAND。

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