三星宣布量產 236 層堆疊 3D NAND Flash 快閃記憶體晶片

面對競爭對手美光及 SK 海力士，雖然還沒有發表任何產品，但三星仍宣布開始大規模生產 236 層 3D NAND Flash 快閃記憶體晶片，命名為第八代 V-NAND。

三星新 3D NAND Flash 快閃記憶體有 2,400MTps 傳輸速度，搭配高階主控晶片使用，可使消費級 SSD 傳輸速度輕鬆超過 12GBps。三星已提供第八代 V-NAND 的 1Tb (128GB) 方案，但暫時未公開記憶體晶片大小和實際密度，只宣稱達業界最高單位容量密度。

相較相同容量 NAND Flash 快閃記憶體，三星新 3D NAND Flash 快閃記憶體可提高 20% 產出率，相同良率下降低成本，代表大家都有望買到同容量但更便宜的 SSD。

三星快閃記憶體產品與技術執行副總裁 SungHoi Hur 表示，於市場對更密集、更大容量儲存的需求，帶動快閃記憶體高層數發展。三星採用先進 3D 壓縮技術，減少表面積和厚度，避免壓縮時常出現的單元互相干擾。第八代 V-NAND 快閃記憶體有助滿足快速成長的市場需求，提供更多差異化產品和解決方案，是未來儲存創新的基礎。

三星 3D NAND Flash 快閃記憶體發展為 2030 年打造出 1 千層 V-NAND Flash。為了達成目標，正從 TLC 架構轉到 QLC 架構，以提高密度增加更多層數。三星也投資 DRAM 研發，研究新架構和材料，如 High-K，幫助 DRAM 擴展到 10 奈米製程以下。先進記憶體解決方案部分，三星也在研究記憶體處理 (PIM) 產品。

(首圖來源：三星)