三星推出 12 奈米級製程 DDR5 記憶體，可達每秒 7.2Gpbs 傳輸速率

南韓三星電子今日宣佈，成功開發首款採用 12 奈米級製程技術的 16Gb DDR5 DRAM，並與 AMD 一起完成相容性產品評估。

三星表示，技術突破是藉使用新高介電（high-k）材料，以增加電池電容，並進一步改善關鍵電路特性專利設計技術達成。

三星資料顯示，整合先進多層極紫外（EUV）微影曝光技術後，新 DRAM 擁有三星最高裸片密度（Die density），並可使晶圓生產率提高 20%。採用 DDR5 最新標準，三星 12 奈米級 DRAM 可提供高達 7.2 千兆每秒（Gbps）傳輸速度。能效方面，與上一代三星 DRAM 產品相較，12 奈米級 DRAM 功耗降低約 23%。

AMD 高級副總裁、企業研究員暨客戶、計算和圖形技術長 Joe Macri 指出，創新通常需要與產業夥伴密切合作，以推動技術發展。很高興再次與三星合作，特別是推出 Zen 平台經最佳化和驗證的 DDR5 記憶體產品。

三星指出，隨著 2023 年新款 DRAM 量產，計畫將採用先進 12 奈米技術的 DRAM 產品擴展到更廣市場。

（首圖來源：三星）