OBC 及轉換器成為最佳突破點!台廠成為帶動車用 GaN 產能關鍵推手 作者 Evan | 發布日期 2023 年 03 月 17 日 10:43 | 分類 晶圓 , 晶片 , 會員專區 | edit Loading... Now Translating... 近年火紅的第三類、「寬能隙」(WBG)半導體,擁有比第一、第二類「低能隙」半導體更耐高溫、高壓及高頻的特性,因而更能滿足 5G 通訊、純電動車(BEV)、油電混合車(HEV)、消費性充電頭及資料中心等高功率、高電能轉換效率、低能耗、高速運算及高速充電等新興應用的需求。 文章看完覺得有幫助,何不給我們一個鼓勵 請我們喝杯咖啡 想請我們喝幾杯咖啡? 每杯咖啡 65 元 x 1 x 3 x 5 x 您的咖啡贊助將是讓我們持續走下去的動力 總金額共新臺幣 0 元 《關於請喝咖啡的 Q & A》 留給我們的話 取消 確認 從這裡可透過《Google 新聞》追蹤 TechNews 科技新知,時時更新 科技新報粉絲團 加入好友 訂閱免費電子報 關鍵字: GaN Systems , 氮化鎵 , 特斯拉 , 碳化矽