SK 海力士完成 1b DRAM 研發，今年量產挽救業績

南韓記憶體大廠 SK 海力士宣布，完成 1b 製程（第五代 10 奈米級）研發，並以新技術生產 DDR5 伺服器 DRAM 執行英特爾資料中心記憶體認證程式（The Intel Data Center Certified memory program），是英特爾代號 Sapphire Rapids 第四代 Xeon 可擴展資料中心處理器記憶體相容性正式認證流程。

SK 海力士表示，這次 DDR5 DRAM 產品執行速度為 6.4Gbps，也是同類產品速率最高，與測試品相比，資料處理速度提高 33%，且採用 HKMG（High-K Metal Gate）製程，較第四代 10 奈米級 1α 製程產品，功耗降低 20%。

SK 海力士 1b 製程研發成功，代表可向全球供應性能與功耗兼具的 DRAM 產品。SK 海力士希望今年量產 1b 製程，以業界最高 DRAM 競爭力改善下半年業績。SK 海力士還打算將 1b 製程延伸至 LPDDR5T、HBM3E 等。

近期 SK 海力士財務狀況不太好，4 月 2023 財年第一季財報顯示，因記憶體半導體市場持續低迷，需求疲軟和產品價格下跌衝擊，營收較 2022 財年第四季減少，且營業虧損增加。SK 海力士決定以 DDR5 伺服器 DRAM 和 HBM 等高性能 DRAM，加上 176 層堆疊 NAND Flash 的 SSD、uMCP 等銷售為主，以提升營業收入。

(首圖來源：shutterstock)