三星第二季獲利大減 95%，決心再減少記憶體產能

日前南韓三星電子公布 2023 年第二季財報，半導體 (DS) 部門再次出現 4 兆韓圜（約 31.2 億美元）虧損，決定下半年再削減 DRAM 和 NAND Flash 記憶體產量。

韓媒報導，三星 27 日公佈第二季合併營收和營業利潤分別為 60.01 兆韓圜和 6,700 億韓圜，與 2022 年同期相較下降 22% 和 95%；與上季相較，營業利潤略有提升，市場預期虧損逐漸減少。

半導體部門第二季業績略有改善，虧損從第一季 4.58 兆韓圜縮小至 4.36 兆韓圜。行動和消費電子部門表現較傑出，創造 3.83 兆韓圜利獲利。三星顯示器和哈曼 (Harman International Industries) 部門也有較好業績，獲利分別為 8,400 億韓圜和 2,500 億韓圜。

三星在財報會議說要減產記憶體，下半年下調產量，以加速庫存正常化。DRAM 和 NAND Flash 更多生產調整，特別 NAND Flash 大幅減產。額外減產計畫將於上一輪減產計畫實施。半導體市場研究人員表示，新減產策略將導致三星記憶體產量比 2022 年減少最多 20%。另一家南韓記憶體大廠 SK 海力士財報會議也宣布，NAND Flash 產品再減產 5%~10%。

儘管前景充滿挑戰，三星仍對下半年記憶體市場前景表示樂觀。記憶體業務部門副總裁 Kim Jae-joon 表示，記憶體庫存 5 月達高峰，之後各供應商調整後水位漸漸下降。減少產能後記憶體價格有可能扭轉趨勢，並出現上漲。

Kim Jae-joon 對高頻寬記憶體 (HBM) 成長也充滿信心，2024 年 HBM 需求將成長，三星準備確保產能，比 2023 年至少增加一倍。三星也準備提高生產力，以滿足下半年額外訂單。

(首圖來源：三星)