2023 年中國成熟製程產能占比約 29%，2027 年擴大至 33%

TrendForce 統計，2023~2027 年全球晶圓代工成熟製程（28 奈米以上）及先進製程（16 奈米以下）產能比重約維持 7:3。中國致力推動本土化生產、IC 國產化等政策與補貼，擴產進度又以中國最積極，預估中國成熟製程產能占比將從今年29% 成長至 2027 年 33%，以中芯國際（SMIC）、華虹集團（HuaHong Group）、合肥晶合集成（Nexchip）擴產最積極；同期台灣成熟製程占比會從 49% 收斂至 42%。

擴產聚焦Driver IC、CIS / ISP與Power Discrete等，二三線台廠首當其衝

Driver IC方面，主要採HV（High Voltage）特殊製程，各家業者近期聚焦40 / 28奈米HV製程開發，目前市場製程技術較領先是聯電（UMC），其次格羅方德（GlobalFoundries）。不過中芯國際28HV、合肥晶合集成40HV將先後第四季至 明年下半年進入量產，並與其他晶圓代工業者技術差距逐漸縮小，尤其製程能力與產能相當的競爭者力積電（PSMC），暫無12吋廠的世界先進（Vanguard）、東部高科（DBHitek）短期首當其衝；對聯電、格羅方德中長期看也會造成影響。

CIS / ISP方面，3D CIS結構含邏輯層ISP與CIS感光層，主流製程大致以45 / 40奈米為分水嶺，邏輯層ISP製程持續往更先進節點發展；CIS感光層與FSI / BSI CIS則以65 / 55奈米以上為主流。技術領先業者台積電（TSMC）、聯電、三星（Samsung），但中國業者中芯國際、合肥晶合集成緊追其後，除了持續追趕製程差距，產能也受惠中國智慧手機品牌OPPO、vivo、小米（Xiaomi）等出海口支撐，加上中國CIS業者OmniVision、Galaxycore與SmartSens因應政府政策， 陸續訂單移回中國投產支撐。

Power Discrete（功率元件）方面，涵蓋MOSFET與IGBT兩種產品，世界先進、HHGrace深耕Power Discrete製程已久，平台及車規驗證涵蓋完整性皆較其他同業更高。受惠於中國電動車補貼政策及鋪設太陽能基礎建設，中國晶圓代工業者獲更多切入機會，如主流代工廠HHGrace、中芯國際、合肥晶合集成、CanSemi等業者，加上中國小型Power Discrete IDM、晶圓廠如GTA及CRMicro等均加入Power Discrete競爭行列。若中國產能同時大量開出，將加劇全球Power Discrete代工競爭壓力，影響性不僅限中國本土同業價格戰，也可能分食台系業者的訂單及客戶。

整體而言，中國透過積極招攬海外及境內IC設計業者投產或研發新品，目的為提高本土化生產比例，但大幅擴產結果可能造成全球成熟製程產能過剩，且隨之而來的就是價格戰。TrendForce認為，中國成熟製程產能陸續開出，Driver IC、CIS / ISP與Power discrete等本土化生產趨勢日漸明確，具相似製程平台及產能的二三線晶圓代工業者可能面臨客戶流失風險與價格壓力，如聯電（UMC）、力積電（PSMC）與世界先進（Vanguard）等，以特殊製程產品為大宗的台系業者首當其衝，技術進展和良率將是鞏固產能的決勝點。

（首圖來源：shutterstock）