取得美國無限期豁免，三星開始轉換中國西安工廠製程

韓國記憶體大廠三星獲美國政府無限期豁免後，三星中國廠無需另外申請許可，就能進口美國晶片設備升級或擴產。

美國政府給三星的無限期豁免，對三星來說無疑是個好消息，且三星取得豁免後開始採取措施。三星高層決定為中國西安 NAND Flash 廠升級到 236 層堆疊技術，並開始大規模擴產。

報導引用消息人士說法，三星開始預購最新半導體設備以轉換製程。新設備年底交貨，2024 年西安廠陸續引進生產第八代 NAND Flash 技術，業界視為全球 NAND Flash 快閃記憶體需求疲軟、產能下降的因應計畫。

三星中國半導體有限公司 2012 年落腳中國西安高新區，是唯一海外記憶體半導體生產基地，2014 年開始營運，2020 年增建第二座工廠，生產 128 層堆疊 NAND Flash 快閃記憶體為主，月產能達 20 萬片 12 吋晶圓，占三星 NAND Flash 產總量 40% 以上。三星計畫 2024 年西安工廠安裝逐步轉換設備，以生產 236 層堆疊 NAND Flash 快閃記憶體。

三星中國西安廠第一期工程投資 108.7 億美元，2017 年開始三星展開第二期工程，兩期工程先後投資 150 億美元。

(首圖來源：三星)