三星宣布 2024 下半年量產二代 3 奈米及強化版 4 奈米

作者 | 發布日期 2023 年 11 月 03 日 13:40 | 分類 Samsung , 半導體 , 晶圓 line share follow us in feedly line share
三星宣布 2024 下半年量產二代 3 奈米及強化版 4 奈米


外媒報導,韓國三星告訴投資者,2024 下半年將使用第二代 3 奈米 (SF3) 製程,與性能增強版 4 奈米 (SF4X) 生產晶片,兩個新製程將顯著提高三星競爭力,並爭取代工大客戶新產品。

由於行動需求反彈,加上高效能運算 (HPC) 市場持續成長,將反轉邁向成長,2024 下半年將量產第二代 3 奈米,以及 HPC 第四代 4 奈米增強競爭力。

三星第二代 3 奈米 (SF3) 製程是首代 3 奈米 (SF3E) 重大升級,目前僅製造挖礦小型晶片,但三星說第二代 3 奈米可同單元類型用不同環柵 (GAA) 電晶體奈米片通道寬度,提供更多功能。

儘管三星沒有直接比較兩代 3 奈米差異,但第二代比第二代 4 奈米(4LPP)進步更多。相同功率和複雜性,執行性能提高 22%,或相同時脈和電晶體數量,功耗降低 34%;晶片面積減少 21%。儘管第二代 3 奈米 2024 下半年量產,但是比首代更好的複雜設計選擇。

三星 4 奈米不斷發展,準備推出強化版 4 奈米 (SF4X),為資料中心高效能 CPU 和 GPU 客製化,是近年第一個專為高效能運算(HPC)設計的製程。

強化版 4 奈米可望效能提高 10%,功耗降低 23%。三星也未透露比較基準,但很可能參考標準 4 奈米製程流程,增強版重新設計電晶體源極和汲極區域、重新評估潛在高應力條件下性能、應用先進電晶體級設計技術協同最佳化 (T-DTCO)。

三星希望藉完善 MOL 架構,使強化版 4 奈米達成 60mV 的 CPU 矽驗證最低工作電壓 (Vmin),將斷態電流 (IDDQ) 變異性降低 10%,確保穩定高電壓 (Vdd) 運行以上 1V 且不會影響性能,並提高 SRAM 製程度。

(首圖來源:三星)