比普通冷卻法性能提高 13 倍,新電晶體架構有望解決散熱問題

作者 | 發布日期 2023 年 11 月 17 日 14:22 | 分類 半導體 , 晶片 , 處理器 line share follow us in feedly line share
比普通冷卻法性能提高 13 倍,新電晶體架構有望解決散熱問題


現在處理器越來越熱,散熱已成為必須克服的問題之一,根據加州大學洛杉磯分校研究表明,熱通道熱電晶體(heat-channeling thermal transistors)可能是解決方案。

外媒 Tom′s Hardware 報導稱,目前這些熱電晶體仍處於實驗階段,但這個降低處理器熱量的方法,有望引起 AMD、英特爾等公司的興趣。

雖然處理器體積越來越小,但功耗幾乎沒降低,使許多熱量集中在更小區域內,通常會在處理器的特定部位,即所謂的熱點(a hot spot),即使 CPU 平均溫度沒問題,熱點溫度仍會影響性能。

研究團隊發現,新的熱電晶體可透過電場,將熱量傳導到處理器其他部分,使熱量均勻擴散。當中的關鍵在於一層僅有一分子厚的分子層,當它通電時就會成為導熱層。熱電晶體能將熱從熱點傳到晶片較冷的部分。與普通冷卻方法相比,實驗性電晶體的性能提高 13 倍。

隨著處理器設計人員不斷增強頻率、提升演算法,來獲得更高性能,散熱問題也越來越明顯。如果熱電晶體能走出實驗室,進入消費性設備,即使無法徹底解決散熱狀況,但也能緩解這一問題。

(首圖來源:shutterstock)

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