IBM、Micron、應材、東京威力科創攜手紐約州，投資百億美元設 High-NA EUV 製程研發中心

日前，美國紐約州長 Kathy Hochul 宣佈，與包括 IBM、美光、應用材料、東京威力科創等半導體大廠達成協議，預計將投資 100 億美元 （約新台幣 3,100 億元） 在紐約州 Albany NanoTech Complex 興建下一代 High-NA EUV 半導體製程研發中心。

根據聲明表示，負責協調該設施建設的非營利性機構 NY Creates ，預計將利用 10 億美元的州政府資金向 ASML 採購 TWINSCAN EXE:5200 曝光設備。接下來，一旦機器安裝完畢，該計畫與相關合作夥伴將開始研究下一代晶片製造。官方聲明強調，該計畫將創造 700 個工作崗位，並帶來至少 90 億美元的民間投資。

此外，聲明還進一步指出，這將是北美第一個，也是唯一一個擁有 High-NA EUV 曝光系統的官方研發中心，將為開發和生產 2 奈米製程節點，甚至更先進的半導體晶片尋找方法。

現階段，在各先進製程晶圓廠中，最先進的曝光機是 ASML 的 Twinscan NXE:3400C 和 NXE:3400D，配備 0.33 孔徑 (NA) 光學鏡片，解析度為 13 奈米。這樣的解析度適合在金屬間距介於 30 奈米和 38 奈米之間的製造技術上使用。

然而，當金屬間距來到 30 奈米以下，也就是節點超過 5 奈米之際，13 奈米的解析度就不敷使用，這使得晶片製造商將不得不使用 EUV 雙圖案化，及圖案成型技術。考當前因為 EUV 雙圖案化既昂貴具有良率風險的情況下，使得 ASML 正在開發 NA 值為 0.55 的 High-NA EUV 掃描器，以達到 8 奈米解析度，用於接下來更先進的製造技術上。

不久前，ASML 執行副總裁 Christophe Fouquet 在公開場合表示，自 2010 年代以來 EUV 技術越來越成熟，半導體製程微縮至 2020 年前後三年，以超過 50% 幅度前進。不過，速度可能會在 2030 年代放緩而不敷使用。所以 ASML 計劃 2023 年年底前發表首台商用 High-NA EUV 曝光機，並 2025 年量產出貨。2025 年開始，客戶就能從數值孔徑為 0.33 傳統 EUV 多重圖案化，切換到數值孔徑為 0.55 High-NA EUV 單一圖案化，降低製程成本，提高產量。

(首圖來源：ASML)