華邦電與力成科技合作開發 2.5D 及 3D 先進封裝

半導體記憶體解決方案廠商華邦電 20 日宣布，與半導體封測廠力成科技簽訂合作意向書，兩家公司將共同開發 2.5D 及 3D 先進封裝業務，搶攻先進封裝市場。

華邦電表示，隨著 AI 技術快速演變，市場對高頻寬及高速運算的需求激增，進而帶動先進封裝及異質整合技術的需求。華邦電做為記憶體業界領先者，攜手業界封測領導廠商力成科技共同引領此技術浪潮，以提供異質整合封裝技術。

華邦電強調，本合作業務開發專案之合作方式將由華邦電提供 CUBE (客製化超高頻寬元件) DRAM，以及客製化矽中介層 (Silicon-Interposer)、同時整合去耦電容 (Decoupling Capacitor)等先進技術，搭配力成科技所提供之 2.5D 及 3D 封裝服務，使得這項戰略合作能夠助力市場對先進封裝的強烈需求，以符合客戶期望。

華邦電進一步指出，創新之矽中介層技術與力成科技 2.5D 及 3D 異質整合封裝技術結合後，將完整達成高效能邊緣 AI 運算的需求。其中，搭配華邦最新發表的 CUBE，若選擇利用 3D 堆疊技術並結合異質鍵合技術 (Hybrid Bond)，將可滿足邊緣 AI 運算裝置不斷成長的記憶體需求，是華邦電達成跨平台與介面部署的重要一步。

(首圖來源：科技新報攝)