為增強代工能力，三星開始認真導入混合鍵合，根據業界消息，應材（Applied Materials）和貝思半導體正在天安園區設立混合鍵合（hybrid bonding）相關設備，預計用於下一代 X-Cube、SAINT 等先進封裝。
韓媒 The Elec 引述業界消息指出，應材和貝思半導體正在三星天安園區安裝混合鍵合設備，天安園區是三星先進封裝生產基地。韓國產業官員也表示，目前是在建設一條生產線，設備是用於非記憶體封裝。
混合鍵合與現有鍵合方法相比，可提高 I/O 和佈線長度。三星最新投資是為了加強先進封裝能力，推出採用混合鍵合的 X-Cube。
業界猜測，混合鍵合也可應用於三星今年開始推出的 SAINT（三星先進互連技術）平台，包括三種 3D 堆疊技術，即 SAINT S、SAINT L 和 SAINT D。
SAINT S 是將 SRAM 垂直堆疊在 CPU 等邏輯晶片上；SAINT L 是將邏輯晶片堆疊在邏輯晶片，或應用處理器（AP）堆疊；SAINT D 則是 DRAM 和 CPU、GPU 等邏輯晶片垂直堆疊。
晶圓代工龍頭台積電的 SoIC（系統整合晶片）也是提供混合鍵合的 3D 封裝服務，同樣由應材和貝思半導體共同提供。英特爾也將混合鍵結技術應用在其 3D 封裝技術 Foveros Direct，並於去年商業化。
業界預期，三星對混合鍵結設施的投資有望贏得 NVIDIA 和 AMD 等大客戶青睞，因為無晶圓廠客戶對混合鍵結需求正不斷增加。
（首圖來源：三星）
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