搶救 HBM 良率，傳三星吞下自尊、跟進對手先用技術

市場傳出，三星電子（Samsung Electronics）打算改採 SK 海力士（SK Hynix）使用的晶片製造技術，在日益白熱化的高頻寬記憶體（HBM）競賽中追趕競爭對手。

路透社12日獨家報導，生成式AI大受歡迎，帶動HBM需求跳增。然而，就在SK海力士、美光（Micron Technology）先後與輝達（Nvidia Corp.）敲定HBM供應協議之際，三星卻意外缺席。據悉，三星的HBM3至今仍未通過輝達的品質測試。

分析師及業界人士相信，三星堅持使用非導電性膠膜（Non-Conductive. Film，NCF）技術，因而面臨一些生產問題，是進度落後的原因之一。相較之下，SK海力士卻率先改用批量回流模制底部填充（mass reflow molded underfill，MR-MUF）技術，解決NCF弱點，也成為第一家供應HBM3晶片給輝達的廠商。

不過，消息透露，三星最近已下單採購專為MUF設計的晶片製造設備。一名人士說，「三星必須設法提升HBM良率……改採MUF對三星來說有點吞下自尊的意味，因為這代表該公司終究還是得跟進SK海力士。」

數名分析人士直指，三星HBM3的良率目前只有10~20%，SK海力士的HBM3良率卻已來到60~70%。據消息，三星也在跟數家材料商接洽、希望採購MUF材料，當中包括日商長瀨產業株式會社（Nagase）。消息透露，三星打算在最新款HBM晶片同時使用NCF、MUF兩種技術。

（本文由 MoneyDJ新聞授權轉載；首圖來源：Unsplash）