爆料：三星 3 奈米良率翻三倍，PPA 有望追上台積電 N3P

市場傳出，三星電子（Samsung Electronics Co.）3 奈米良率大幅拉高，整體表現有機會追上台積電。

知名爆料人Revegnus 22日透過社交平台X指出，三星3奈米良率一開始雖只有10%~20%，但最近拉升至三倍以上。

[Exclusive] Samsung’s 3nm Yield-related News

Currently, Samsung’s 3nm yield, which initially hovered around 10-20%, has recently improved by over threefold.

Of course, this figure remains lower compared to TSMC, which still utilizes FinFET technology.

However, Samsung has high…

— Revegnus (@Tech_Reve) March 22, 2024

雖然良率依舊低於使用現有「鰭式場效」（Fin Field-Effect Transistor，FinFET）製程的台積電，但三星對第二代3奈米製程期望甚高，據傳看好效能、功耗及面積（Performance、Power、Area，PPA）前景（有謠言暗示可趕上台積電N3P）。

Revegnus表示，消息人士透露，三星3奈米製程的能源效率（power efficiency）、邏輯區域（logic area）都比4奈米FinFET改善20%~30%。

韓國媒體TheElec報導，三星共同執行長慶桂顯（Kyung Kye-hyun）20日在年度股東大會預測，今年半導體營收有望重返2022年衰退前水準。

慶桂顯指出，記憶體事業1月轉虧為盈，今年恢復元氣，除了高頻寬記憶體（HBM），開放性高速互連通訊協議CXL（Compute Express Link）、記憶體處理器（Processor In Memory，PIM）也與客戶接洽，結果很快就能出爐。

三星晶圓代工事業總裁崔時榮（Siyoung Choi）同場合表示，雖然英特爾（Intel Corp.）談論1.4奈米製程，但三星及台積電都有製程規劃。他說，客戶要的是穩定供應、產品具競爭力的晶圓代工商，三星4奈米良率已成熟。

崔時榮並表示，第二代3奈米製程下半年投產，2奈米投產時間是明年。

（本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載；首圖來源：三星電子）

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