三星電子（Samsung Electronics Co.）最近在記憶體部門成立高頻寬記憶體（HBM）團隊，希望能在開發第六代 AI 記憶體 HBM4 及 AI 加速器 Mach-1 之際提升良率。
《韓國經濟日報》3月29日引述業界消息報導，三星的HBM小組主要負責DRAM、NAND型快閃記憶體的研發與銷售。三星執行副總裁兼DRAM產品與科技長HwangSang-joon將負責帶領新團隊。這是三星1月啟動HBM任務團隊以來，第二個聚焦HBM的小組。
三星正在加大力道，盼能超越在先進HBM領域拔得頭籌的SK海力士（SK Hynix Inc.）。三星2019年因錯誤判定市場不會顯著成長，解散了當時的HBM小組。
為了爭奪AI晶片市場的領先地位，三星將追求「雙軌」策略，同時開發兩種尖端記憶體晶片：HBM和Mach-1。
三星計劃今年下半量產HBM3E、2025年投產下一代HBM4。HBM3E是表現最佳的AI用DRAM，也是第五代DRAM記憶體，之前幾個世代為HBM、HBM2、HBM2E及HMB3。
三星也準備研發次世代用於AI推論的加速「Mach-2」。Kyung 3月29日指出，三星必須加快研發Mach-2，因為客戶對此展現濃厚興趣。
（本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載；首圖來源：shutterstock）
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