三星電子（Samsung Electronics Co.）2024 年高頻寬記憶體（HBM）產能計畫比去年擴增三倍，希望奪得市場領導地位。
《韓國經濟日報》27日報導，三星執行副總裁兼DRAM產品與科技部長Hwang Sang-joong 26日在加州聖荷西（San Jose）舉行的「Memcon 2024」會議表示，三星HBM產能有望年增2.9倍，高於三星稍早2024年拉斯維加斯消費電子展（CES 2024）說的2.4倍。
Hwang指出，第三代HBM2E及第四代HBM3量產後，今年上半將大量生產12層第五代HBM，以及32Gb晶粒的128GB DDR5記憶體。三星期望AI時代提升高效能、高容量記憶體市場地位。
三星發表HMB技術藍圖，預測2026年HBM出貨量比2023年高13.8倍，2028年HBM年比2023年高23.1倍。三星最新HBM3E 12H晶片開始送樣，上半年就可量產。
會議參與者有SK海力士（SK Hynix Inc.）、微軟（Microsoft）、Facebook母公司Meta Platforms、輝達（Nvidia）及超微（AMD）。
三星半導體事業部門負責人桂顯（Kyung Kye-hyun）上週才表示，正在開發次世代AI晶片「Mach-1」，已與Naver Corp.敲定協議，今年底交貨，合約金額上看1兆韓圜（約7.52億美元）。Naver希望與三星的供應協議大幅降低依賴輝達（Nvidia Corp.）。
華爾街日報26日報導，SemiAnalysis最新估計，SK海力士HBM位元市占約73%，三星居次22%，美光（Micron）排名第三，約5%。
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