中國記憶體廠 2024 年投資年增逾 90%,要突破 Chip 4 聯盟限制

作者 | 發布日期 2024 年 04 月 06 日 12:00 | 分類 IC 設計 , 中國觀察 , 半導體 line share follow us in feedly line share
中國記憶體廠 2024 年投資年增逾 90%,要突破 Chip 4 聯盟限制


儘管有來自美國的強大半導體制裁壓力,但中國仍在積極投資生產記憶體的設施。透過突破韓國廠商築起的記憶體技術門檻,中國記憶體廠商明確表明要戰勝韓國、美國、台灣和日本所組成的 「Chip 4」 晶片聯盟,接手全球半導體霸權。

韓國媒體 sedaily 表示,根據台灣市場研究公司 TrendForce 日前發布的 3 月份報告顯示,長鑫存儲 (CXMT)、長江存儲 (YMTC)、福建晉華 (JHICC) 等三家中國領先記憶體企業在 2024 年預計將有 6,867 億韓圜用於設備投資,這金額比 2023 年增加了 90.3%,中國企業的這樣動作與全球半導體公司的動作不同。根據預估,2024 年全球記憶體市場的設備投資,包括三星電子和 SK 海力士,僅成長 7.96%。

報導指出,隨著半導體產業的復甦,許多企業也在投資投資擴產,但都無法與中國記憶體企業的積極投資相比。事實上,DRAM 製造商長鑫存儲,NAND Flash 快閃記憶體製造商長江存儲的投資趨勢很大。其中,長鑫存儲 2024 年第一季開始在北京開設新產線,預計第四季月產能將達到 20 萬片的規模,較年初成長 40% 以上。另外,長江存儲也將投入 30 億美元投資擴產,比前一年增加一倍以上。長江存儲預計將以武漢二廠為中心進行擴產,確保 NAND Flash 快閃記憶體的產能達到每月 13 萬片的規模。

以上,兩家中國記憶體企業的全球市佔率均不足 4%。然而,他們正在努力招募人才和開發技術,以搶走三星電子和 SK 海力士在記憶體市場的領導地位。此外,美國政府雖然透過限制先進製造設備出口的管制,加大了對中國半導體的制裁力道。但是,一位市場人士表示,除了記憶體之外,中國正在打造以華為和中芯國際為首的邏輯半導體生態系統。其中,華為不僅正在規劃半導體設計,還規劃先進的 DRAM 製造和邏輯半導體生產,以企圖達到中國半導體自給自足的目標。

(首圖來源:長鑫存儲官網)