SK 海力士美國廠 2028 年投產，CEO 稱需數百名工程師

韓國記憶體晶片廠商 SK 海力士（SK hynix Inc.）4 月 3 日宣布將斥資 38.7 億美元在美國印第安那州 West Lafayette 興建次世代高頻寬記憶體（HBM）先進封裝製造和研發設施。這項美國首見的計畫預計將驅動人工智慧（AI）供應鏈的創新、同時為當地帶來上千份工作機會。

SK海力士預期美國廠將在2028年下半年開始量產，新設施還將開發下一代晶片並設立先進封裝研發生產線。

普渡大學（Purdue University）校長蔣濛（Mung Chiang）稱讚，SK海力士是AI記憶體晶片的全球先驅和市場主導者。

華爾街日報專欄作家Greg Ip 4月11日撰文指出，2000-2017年期間美國半導體製造業就業人數自287,000人縮減至181,000人、隨後回升至20萬人。電機工程師出身的蔣濛認為，勞動力成本可能不再是美國的一大障礙。

SK海力士執行長（CEO）郭魯正（Kwak Noh-Jung）受訪時表示，美國在可預見的未來都將會是高晶片製造成本地區、特別是在營建和材料領域。他並且說，為了在美國取得成功，SK海力士必須擁有數百名非常優秀的工程師來運作先進封裝製造工廠。

美國勞工部勞工統計局（BLS）4月5日公布，2024年3月美國半導體與相關電子元件就業人數月減700人至39.21萬人、連續第2個月呈現縮減，與2001年1月的71.45萬人（1985年開始統計以來最高）相比短少45%。

（本文由 MoneyDJ新聞授權轉載；首圖來源：shutterstock）