HBM 超夯！SK 海力士：今年全賣光、明年 HBM 產能基本售罄

SK 海力士今（2 日）執行長郭魯正指出，目前公司 HBM 產能今年已經全部售罄，明年也基本售罄。從技術看，SK 海力士預計今年 5 月提供世界最高性能的 12 層堆疊 HBM3E 產品的樣品，並準備第三季開始量產。

SK 海力士今日在韓國舉行國內外記者招待會，並公布 AI 記憶體技術力及市場現狀、韓國清州、龍仁、美國等未來主要生產據點相關的投資計畫。

郭魯正指出，雖然目前人工智慧是以資料中心為主，但今後有望迅速擴散到智慧手機、PC、汽車等端側 AI（On-Device AI），也因此，專門用於 AI 的「超高速、高容量、低電力」記憶體需求將會暴增。

郭魯正表示，SK 海力士具備 HBM、基於矽穿孔（TSV）的高容量 DRAM、高性能 eSSD 等各產品領域的業界最高技術領導力，今後將通過與全球合作夥伴的戰略合作，提供為客戶量身定做的全球頂級記憶體解決方案。

展望 AI 記憶體，SK 海力士社長金柱善指出，進人工智慧時代後，全球產生數據總量預計將從2014年的15ZB（Zetabyte）成長至 2030 年的 660ZB。同時，面向 AI 記憶體收入比重也將大幅增加。 HBM和高容量DRAM模組等面向 AI 的記憶體在 2023 年整個記憶體市場的占比約為 5%（金額為準），預計 2028 年可達 61%。

同時，公司將與全球頂級（Top-tier）系統半導體、晶圓代工等領域的合作夥伴推進「同一團隊（One team）」合作，由此適時開發並提供最佳產品。

至於 SK 海力士的封裝技術能力，SK 海力士指出，公司核心封裝技術之一是 MR-MUF 技術，雖然這項技術在高層堆疊可能存在瓶頸，但實際上並非如此，公司已經在使用先進（Advanced）MR-MUF 技術量產 12 層堆疊 HBM3 產品。

與過去製程相比，MR-MUF 技術將晶片堆疊壓力降低至 6%，也縮短工序時間，並將生產效率提高至 4 倍，散熱率提高 45%。同時，公司最先進 MR-MUF 技術採用新的保護材料，使散熱性能改善10%；先進 MR-MUF 技術在晶片彎曲現象控制（Warpage control）也採用卓越的高溫 / 低壓方式，是最為適合於高層堆疊的解決方案。

此外，SK 海力士計劃在 HBM4 也採用先進 MR-MUF 技術，以實現 16 層堆疊，正在積極研究混合鍵合（Hybrid bonding）技術。最後是美國投資部分，SK 海力士確定在印第安那州建設面向 AI 記憶體先進封裝生產基地，該廠將於 2028年下半年開始量產新一代 HBM 產品。

（首圖來源：SK 海力士）