![良率表現接近 N3E!台積電 N3P 按計畫下半年投產](https://img.technews.tw/wp-content/uploads/2023/01/11170227/shutterstock_1947961507-624x416.jpg)
台積電近期分享 N3 家族的最新進度,N3P 按原訂計畫於下半年投產,跟 N3E 相比,N3P 有望提高性能效率和電晶體密度。
至於已經投產的 N3E,台積電高層指出,按計畫於去年第四季開始量產,看到客戶產品都有出色產量表現,而 N3E 的 D0 缺陷密度與 N5 相當。對台積電客戶來說,他們能相對較快地從改進製程中獲益。
最初的 N3(又名 N3B)生命週期較短,蘋果是唯一主要客戶。N3E 製程為 N3B 寬鬆版本,取消一些 EUV 層,也犧牲一些電晶體密度,但有助於降低生產成本,並擴大製程窗口(process window)和良率。目前 N3E 將為台積電廣大客戶採用,包括許多業界最大晶片設計公司。
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至於今年下半年又有最新進展,即 N3P 製程。據悉,N3P 已經完成認證,良率表現接近 N3E。在相同漏電率下,N3P 製程能提高 4% 性能,或在相同時脈頻率下功耗降低 9%,電晶體密度提高 4%。
由於 N3P 是 N3E 光學微縮版,IP 模組、製程規則、電子設計自動化(EDA)工具和設計方法等都與前者相容,因此台積電預計大多數新推出的下線(Tape-Out)將使用 N3P,而非 N3E 或 N3,因為 N3P 成本比 N3 低,性能效率卻比 N3E 高。
台積電高層指出,目前已成功交付 N3P 技術,也通過認證,良率、性能接近 N3E。該技術也獲得產品客戶下線,預計下半年開始生產。由於 N3P 的優勢,預期 N3 上大部分下線將轉至 N3P。
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(首圖來源:shutterstock)