良率表現接近 N3E！台積電 N3P 按計畫下半年投產

台積電近期分享 N3 家族的最新進度，N3P 按原訂計畫於下半年投產，跟 N3E 相比，N3P 有望提高性能效率和電晶體密度。

至於已經投產的 N3E，台積電高層指出，按計畫於去年第四季開始量產，看到客戶產品都有出色產量表現，而 N3E 的 D0 缺陷密度與 N5 相當。對台積電客戶來說，他們能相對較快地從改進製程中獲益。

最初的 N3（又名 N3B）生命週期較短，蘋果是唯一主要客戶。N3E 製程為 N3B 寬鬆版本，取消一些 EUV 層，也犧牲一些電晶體密度，但有助於降低生產成本，並擴大製程窗口（process window）和良率。目前 N3E 將為台積電廣大客戶採用，包括許多業界最大晶片設計公司。

至於今年下半年又有最新進展，即 N3P 製程。據悉，N3P 已經完成認證，良率表現接近 N3E。在相同漏電率下，N3P 製程能提高 4% 性能，或在相同時脈頻率下功耗降低 9%，電晶體密度提高 4%。

由於 N3P 是 N3E 光學微縮版，IP 模組、製程規則、電子設計自動化（EDA）工具和設計方法等都與前者相容，因此台積電預計大多數新推出的下線（Tape-Out）將使用 N3P，而非 N3E 或 N3，因為 N3P 成本比 N3 低，性能效率卻比 N3E 高。

台積電高層指出，目前已成功交付 N3P 技術，也通過認證，良率、性能接近 N3E。該技術也獲得產品客戶下線，預計下半年開始生產。由於 N3P 的優勢，預期 N3 上大部分下線將轉至 N3P。

（首圖來源：shutterstock）

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