降低半導體生產成本，ASML 推通用型 EUV 微影曝光機

荷蘭媒體 Bits&Chips 報導，曝光微影設備大廠艾司摩爾 (ASML) 顧問兼前技術長 Martin van den Brink 表示，ASML 考慮推出通用型 EUV 微影曝光機，因應市場需求。

Martin van den Brink 在日前 2024 年度 imec ITF World 技術論壇表示，ASML 長期藍圖有含 Low NA（0.33NA）、High NA（0.55NA）和 Hyper NA（0.7NA 以上）通用型 EUV。

Martin van den Brink 強調，將來 Hyper NA 微影曝光機將簡化先進製程流程，降低 High NA 微影曝光雙重圖案化達成同等精度的額外步驟與風險。當多種 EUV 共用基礎平台，降低開發成本同時，也便於 Hyper-NA 技術改進，向後移植到數值孔徑更低的微影曝光機。ASML 最新 0.33NA EUV 微影曝光機 NXE:3800E 就導入為 High NA 微影曝光機開發的快速載物移動系統。

ASML 還計劃 DUV 和 EUV 微影曝光系統晶圓工作量，從每小時 200~300 片增加到 400~500 片，提升單套微影曝光機生產效率，也降低生產成本。

Martin van den Brink 從人工智慧發展趨勢看，消費者對多種應用有強烈需求。限制需求因素包括能耗、計算能力和大數據。最佳化半導體生產的關鍵微影曝光機，就能改善限制因素。

(首圖來源：英特爾)