雄心不只 5 奈米!傳華為擬將多重圖案化推進至 3 奈米製程

作者 | 發布日期 2024 年 05 月 29 日 10:59 | 分類 IC 設計 , 中國觀察 , 晶圓 line share follow us in feedly line share
雄心不只 5 奈米!傳華為擬將多重圖案化推進至 3 奈米製程


今年初華為和中芯國際送交名為「自對準多重圖案化」(SAQP)晶片專利,外界猜測是用 5 奈米級製程生產晶片。外媒 Tom′s Hardware 報導,華為希望將這技術用於 3 奈米製程。

與華為合作的國家支援晶片製造設備開發商深圳新凱來(SiCarrier)也獲多重圖案化專利,再證實中芯國際計畫將來製程使用此技術。

儘管多重圖案化有助製造 5 奈米級晶片,但研究機構 TechInsights 專家 Dan Hutcheson 表示,EUV 設備對更先進製程仍相當重要。

從製程看,7 奈米製程金屬間距為 36~38 奈米,5 奈米製程縮小至 30~32 奈米,3 奈米製程再縮至 21~24 奈米。以多重圖案化在矽晶片上反覆蝕刻線路,提高電晶體密度、降低功耗並增強性能。

儘管多重圖案化有優勢,但也相當有挑戰性,因英特爾第一代 10 奈米級製程之所以失敗,一部分就是採用此法。據傳良率太低,唯一 10 奈米 Canon Lake CPU 只有兩個 CPU 內核,整合顯卡也禁用。但對中芯國際來說,多重圖案化可生產更複雜晶片,包括消費性設備的海思麒麟處理器和 AI 伺服器的 Ascend 處理器。

以成本來說,多重圖案化生產 5 或 3 奈米晶片單個成本一定更高,商用設備可行性降低,但這項技術除了幫助中國半導體進步,也對超級電腦等應用及潛在軍武發展相當重要。

(首圖來源:Flickr/Kārlis Dambrāns CC BY 2.0)

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