三星估 2 奈米比 3 奈米多 30% EUV 曝光層

韓國媒體 TheElec 報導，與三星 3 奈米相較，2025 年量產 2 奈米會多 30% 極紫外光（EUV）曝光層。

三星 2018 年首次 7 奈米節點啟用 EUV 曝光，轉移至 5 奈米再到 3 奈米，三星晶片的 EUV 曝光層數量或 EUV 步驟也有成長。

報導引用消息人士說法，三星 2 奈米已增加到 20 層 EUV 曝光層。三星 1.4 奈米將有 30 多個 EUV 曝光層。三星也將 EUV 曝光設備用於 DRAM 生產。三星為第六代 10 奈米級 DRAM 應用高達七個 EUV 曝光層，SK 海力士應用五個 EUV 曝光層。越來越多晶片製造商擴大 EUV 步驟，光阻劑、空白光罩等產業也有望成長。

根據三星製程藍圖，2 奈米製程 SF2 在 2025 年推出，較第二代 3GAP 的 3 奈米節點，相同時脈和複雜度降低 25% 功耗，或相同功耗和複雜度提高 12% 計算性能，減少 5% 晶片面積。

2 奈米 SF2Z 製程採最佳化背面供電網路 (BSPDN)，電源供應路線設於晶圓背面，消除電源線和訊號線的瓶頸。與第一代 2 奈米 SF2 相較，BSPDN 用於 SF2Z 不僅提高功率、性能和降低晶片 (PPA)，還顯著降低電壓 (IR 降)，提高 HPC 晶片性能。SF2Z 預定 2027 年量產。

三星還公布 2 奈米製程發表日期，包括行動領域 SF2 和 SF2P 於 2025 和 2026 年推出。人工智慧和高性能運算 2 奈米 2026 年推出，早於 BSPDN 技術。三星還於 2027 年推出汽車電子用 SF2A 製程。

(首圖來源：三星)