領先三星，SK 海力士開發首款第六代 10 奈米 DRAM 晶片

SK 海力士週四（29 日）表示，該公司已開發出第六代 10 奈米 (1c) 16Gb DDR5 DRAM。根據韓媒 The Elec 報導，該公司成為第一間做到這點的記憶體製造商，領先國內競爭對手三星。

報導稱，三星和 SK 海力士競爭進度不相上下，三星今年 5 月成為第一間開始製造第 5 代 10 奈米 (1b) DDR5 DRAM 廠商，比 SK 海力士早十天。

SK 海力士表示，將於明年開始供應最新 DRAM。該記憶體晶片是透過擴充先前的 1b 平台而開發的 1c。

SK 海力士指出，它為某些極紫外線（EUV）製程開發新材料，並將生產力比前一代提高 30%。1c DDR5 速度為 8Gbps，比 1b 快 11%，電源效率也提升 9%。

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（首圖來源：科技新報）

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