應對中國低價競爭!三星、SK 海力士轉向高階技術開發 HBM4、CXL

作者 | 發布日期 2024 年 10 月 23 日 10:13 | 分類 半導體 , 晶片 , 記憶體 line share Linkedin share follow us in feedly line share
應對中國低價競爭!三星、SK 海力士轉向高階技術開發 HBM4、CXL


市場消息傳出,三星電子和 SK 海力士正在改變策略,專注於 HBM4 和 Compute Express Link(CXL)等高價值技術,以應對中國公司擴產、利用定價策略搶攻市占率的問題。

受到 AI 影響,記憶體市場正面臨轉型,從 DRAM 和 NAND Flash 強調成本效益和價格競爭的傳統方式,逐漸由高效能、高附加價值產品為中心的新模式取代。

目前長鑫存儲等公司正快速擴產,根據市場研究公司 Tech Insight 數據,長鑫存儲過去四年將 DRAM 產能提高近五倍,市占率 9%,成為全球第四大記憶體生產商。

因此,三星和 SK 海力士將策略放在 HBM4 和 CXL 等先進的記憶體技術,努力提升效能,以應對 AI 的高效能需求。

三星最近在 OCP 全球峰會上展示 CXL 技術進展,並計劃在 2024 年底前量產符合 CXL 2.0 協定的 256GB CMM-D。據悉,CXL 是提升 CPU、GPU 和記憶體之間資料傳輸效率和速度的技術,將在下一代 AI 和運算工作負載中發揮關鍵作用。

與此同時,SK 海力士計劃 2025 年下半年開始量產,接著在 2026 年推出 HBM4E,並探索混合鍵合的潛力。這些高階記憶體解決方案有望獲得高價,使三星和 SK 海力士與低成本的競爭對手做出區隔。

不過開發 HBM4 和 CXL 等先進記憶體解決方案需要大量研發投資,這些技術複雜性增加生產成本,使競爭不僅在於市占率,而是在於技術的領先程度。

(首圖來源:SK 海力士)

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