德州儀器日本會津工廠開始生產氮化鎵，自有產能將提升四倍

類比半導體龍頭德州儀器 (TI) 宣布，已開始在日本會津的工廠生產氮化鎵（GaN）功率半導體。隨著會津廠進入生產，加上位於德州達拉斯的現有 GaN 製造作業，TI 現針對 GaN 功率半導體的自有產能可增加至四倍之多。

TI 的技術與製造資深副總裁 Mohammad Yunus 表示，以超過 10 年的 GaN 晶片設計與製造專業知識，我們已成功驗證 8 吋 GaN 技術，並在會津展開量產，這是現今擴充性最高且最具成本競爭力的 GaN 製造技術。這個里程碑使我們擁有更多的 GaN 晶片自有產能，並在 2030 年前將內部製造的比率提升至 95% 以上，同時也讓我們可從多個 TI 據點進行採購，確保整個高功率、節能半導體 GaN 產 品組合的可靠供應。

TI 表示，GaN 為矽的替代方案，這款半導體材料可在許多領域中提供優勢，包括節能、開關速度、電源解決方案尺寸與重量、整體系統成本，以及在高溫與高壓條件下的性能等。 GaN 晶片可提供更高的功率密度，也就是在更小的空間提供更多功率，使其能應用於筆記型電腦或行動電話的電源轉接器，或是更小、更節能的加熱與空調系統和家用電器馬達。現在，TI 提供最廣泛的整合式 GaN 功率半導體產品組合，從低電壓到高電壓都包含在內，藉此實現最為節能、可靠且具高功率密度的電子產品。

TI 的高電壓電源副總裁 Kannan Soundarapandian 表示，利用 GaN，TI 就能更有效率地在小巧的空間中提供更高效的功率，這也是推動我們眾多客戶創新的主要市場需求。諸如伺服器電源、太陽能發電和 AC/DC 轉接器等系統的設計師正面臨必須要減少功耗並提升能源效率的挑戰，他們對於 TI 高性能 GaN 晶片可靠供應的需求也與日俱增。TI 的整合式 GaN 功率級產品組合讓客戶可實現更高的功率密度、提升易用性，並降低系統成本。此外，憑藉 TI 的專利矽基氮化鎵製程、經過超過 8,000 萬小時的可靠性測試，並具備整合式保護功能， TI 的 GaN 晶片能確保高電壓系統安全無虞。

TI 指出，的新產能使用現今市面上最先進的設備來製造 GaN 晶片，因此可提升產品性能與製程效率，同時還能提供成本優勢。另外，在 TI 持續擴展的 GaN 製造作業中，採用了更先進且有效率的工具，不但可生產更小的晶片，還能進一步封裝更多功率。這項創新設計可使用較少的水、能源和原物料進行製造，而使用 GaN 晶片的最終產品亦可享有相同的環境效益。

TI 強調，增加 GaN 製造規模的性能優勢使其可將 GaN 晶片提升至較高的電壓，從 900伏特開始，隨著時間推移增加至更高的電壓，藉此進一步推動機器人、再生能源和伺服器電源等應用的能源效率與尺寸創新。此外，TI 的擴大投資包含於 2024 年稍早在 12 吋晶圓成功試製造 GaN。TI 持續擴大的 GaN 製程可完全轉換至 12 吋晶圓，隨時根據客戶需求調整，並移轉至透過 12 吋生產。

(首圖來源：科技新報攝)