三星押注次世代記憶體！拚三年量產 V-DRAM 超車 SK 海力士

三星電子已確定三年內量產次世代記憶體「垂直通道電晶體（VCT）DRAM」藍圖。外界解讀，三星有意比 SK 海力士早一世代量產，以挽回「超級差距」。

業界 27 日傳三星半導體（DS）團隊確定藍圖，並展開量產作業。

VCT DRAM 是指將記憶體單元控制電流流動的電晶體垂直排列的產品。與傳統平面方式相比，可以排列更多電晶體，實現更高容量，因此被視為潛力巨大的「遊戲規則改變者」，然比傳統製程更繁複嚴苛，不僅前段製程（晶圓製作）難度高，還需動用 DRAM 製程未用過先進封裝，門檻相當高。

三星正量產 10 奈米級第五代 DRAM，並以今年量產第六代產品為目標。明年開發第七代產品時程已確定，三星第八代（1e）DRAM 與全新製程 VCT DRAM 間權衡，最終選擇後者。

SK 海力士為先第七代 DRAM，再來是 1 奈米級第一代（0a）、垂直 DRAM（VG）導入。如果三星計畫順利，會領先開啟「V-DRAM 時代」。傳三星已將負責第八代產品的前期團隊與第七代團隊合併。

業界預期，VCT DRAM 有望兩三年內看到產品。三星近期單一 DRAM 領域也開始落後，可看出希望以領先技術重拾領導者的自尊心。

三星只回應「尚未確定 DRAM 產品藍圖」。

• 삼성, ‘차세대 V-D램’ 3년 내 양산…상용화 로드맵 확정

（首圖來源：shutterstock）

延伸閱讀：

• 昇騰 910C 還沒追上 H100 性能落差，華為下一代 910D 已蓄勢待發