SK 海力士攜手台積電合作，新 HBM4 性能與進度超越對手

記憶體大廠 SK 海力士與競爭對手三星記憶體市場競爭異常激烈，最近 SK 海力士在台積電北美技術論壇展示新 HBM4 高頻寬記憶體及其他記憶體產品。

Wccftech 報導，SK 海力士遠遠領先其他製造商，尤其 HBM4，準備好 HBM4 商業版，美光和三星都還在樣品階段。

SK 海力士於台積電北美技術論壇發表幾款新產品，展示其「AI 記憶體」領導地位。首先，預覽 HBM4 製程，簡要介紹規格。HBM4 容量高達 48GB，頻寬 2.0TB/s，I/O 速度 8.0Gbps。下半年量產，最早可能年底裝入客戶產品，進度令人驚豔。

另 16 層堆疊 HBM3E 也是同類產品首創，1.2TB/s 頻寬，傳聞搭載輝達 GB300 Blackwell Ultra 的 AI 晶片伺服器。輝達下代 Vera Rubin AI 晶片採 HBM4 產品。SK 海力士成功以先進 MR-MUF 和 TSV 堆疊記憶體，成為領先者。

SK 海力士還展示伺服器記憶體模組系列，特別是 RDIMM 和 MRDIMM 產品。將來高效能伺服器模組搭載新 1c DRAM 標準 RDIMM 和 MRDIMM 產品，速度高達 12,500MB/s。

SK 海力士還展出一系列加強與降低 AI 和資料中心功耗的模組。速度每秒 12.8Gbps，容量 64GB、96GB 和 256GB 的 MRDIMM 系列。64GB 和 96GB 容量 RDIMM 模組速度為 8Gbps，256GB 3DS RDIMM。

毫無疑問 SK 海力士 HBM 和 DRAM 占優勢，還持續推動創新和與輝達等公司建立夥伴關係，拉開與三星的差距。

(首圖來源：科技新報攝)