SK 海力士攜手台積電合作,新一代 HBM4 性能與進度超越競爭對手

作者 | 發布日期 2025 年 04 月 28 日 12:00 | 分類 AI 人工智慧 , GPU , IC 設計 line share Linkedin share follow us in feedly line share
Loading...
SK 海力士攜手台積電合作,新一代 HBM4 性能與進度超越競爭對手

近期,記憶體大廠 SK 海力士與競爭對手三星在記憶體市場上的競爭異常激烈。對此,SK 海力士也決定在合作夥伴台積電的北美技術研討會上向公眾展示,其新一代的 HBM4 高頻寬記憶體,以及其他幾種記憶體產品。

根據 wccftech 報導指出,當前市場上的 HBM 製造,SK 海力士似乎遠遠領先其他所有製造商。尤其是其 HBM4 技術上,市場消息指出,該公司已經準備好了 HBM4 的商業版本,而美光和三星等競爭對手都仍處於樣品階段。而這情況也代表,目前 SK 海力士正在贏得這場競爭。

報導表示,在台積電的北美技術研討會上,該公司透過發布幾款新產品,展示了其所謂的「AI 記憶體」領導地位。首先,SK 海力士向大眾預覽了其 HBM4 的製程技術,並對其規格進行了簡要介紹。SK 海力士的 HBM4其容量高達 48 GB,頻寬為 2.0 TB/s,I/O 速度為 8.0 Gbps。 SK 海力士也宣布,計劃在 2025 年下半年達成量產,這代表著該產品技術最早可能在 2025 年底前融入客戶的產品中,這進度令人驚豔。

而除了 HBM4,我們還看到了 SK 海力士實施的 16 層堆疊的 HBM3E,這也是同類產品中的首創,其具有 1.2 TB/s 頻寬。而這一特定規格,傳聞將搭載在 GPU 大廠輝達的 GB300 Blackwell Ultra 的 AI 晶片伺服器上。至於,輝達的下一代 Vera Rubin AI 晶片將會採用 HBM4 規格的產品。有趣的是,SK 海力士表示,他們已經成功地透過先進的 MR-MUF 和 TSV 連接技術達到記憶體堆疊的做法,成為在市場上的技術領先者。

至於,SK 海力士還展示了其伺服器記憶體模組系列,特別是 RDIMM 和 MRDIMM 產品。未來,高效能伺服器模組將搭載新的 1c DRAM 標準所建構的 RDIMM 和 MRDIMM 產品,這將使得模組速度高達 12,500 MB/s。

報導指出,SK 海力士還展出了一系列目的在加強同時降低 AI 和資料中心功耗的模組。其中,包括速度為每秒 12.8 Gbps,且容量為 64 GB、96 GB 和 256 GB 的 MRDIMM 系列。其 64 GB 和 96 GB 容量的 RDIMM 模組速度為 8 Gbps,而以及 256 GB 3DS RDIMM。

根據這些新展示出的成品,毫無疑問的是 SK 海力士目前在 HBM 和 DRAM 市場上占有競爭優勢,未來還將持續透過推動創新和與輝達等公司建立合作夥伴關係,以進一步拉開與三星的差距。

(首圖來源:科技新報攝)

想請我們喝幾杯咖啡?

icon-tag

每杯咖啡 65 元

icon-coffee x 1
icon-coffee x 3
icon-coffee x 5
icon-coffee x

您的咖啡贊助將是讓我們持續走下去的動力

總金額共新臺幣 0
《關於請喝咖啡的 Q & A》