HBM4 新規格拉高製造門檻,溢價幅度估逾 30%

作者 | 發布日期 2025 年 05 月 22 日 14:03 | 分類 半導體 , 國際貿易 , 記憶體 line share Linkedin share follow us in feedly line share
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HBM4 新規格拉高製造門檻,溢價幅度估逾 30%

TrendForce 最新研究,HBM 發展受 AI 伺服器需求帶動,三大原廠積極推動 HBM4 產品進度。因 HBM4 的 I/O 數增加,複雜晶片設計使晶圓面積增加,且部分供應商產品改採邏輯晶片架構以提高性能,皆推升成本。有鑑 HBM3e 甫推出時溢價比例約 20%,製造難度更高 HBM4 溢價幅度或突破 30%。

AI晶片領先業者NVIDIA於今年GTC大會亮相最新Rubin GPU,AMD則有MI400抗衡,上述產品都搭載HBM4。TrendForce分析,和前代產品相比,HBM4的I/O數從1,024翻倍提升至2,048,資料傳輸速率維持8.0Gbps以上,和HBM3e相當。代表相同傳輸速度,有較高通道數的HBM4傳輸資料量倍增。

目前HBM3e base die採記憶體架構,僅單純訊號轉接。SK海力士與三星HBM4 base die與晶圓代工廠合作,改採邏輯晶片架構,具整合HBM與SoC功能,除了加速資料路徑、減少延遲,高速資料傳輸環境更能增加穩定性。

由於需求強勁,TrendForce預估2026年HBM市場總出貨量突破300億Gb,HBM4市占率則隨供應商持續放量逐季提高,2026年下半超越HBM3e系列產品,成為市場主流。至於供應商表現,SK海力士將以過半市占率穩居領導地位,三星與美光仍待產品良率與產能表現提升,才有機會迎頭趕上。

(首圖來源:shutterstock)

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