供應 Rubin 平台 AI 晶片,SK 海力士與輝達 HBM4 協商近尾聲

作者 | 發布日期 2025 年 05 月 29 日 16:30 | 分類 AI 人工智慧 , 半導體 , 國際貿易 line share Linkedin share follow us in feedly line share
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供應 Rubin 平台 AI 晶片,SK 海力士與輝達 HBM4 協商近尾聲

韓國《朝鮮日報》報導,記憶體大廠 SK 海力士與輝達 (NVIDIA) 第六代高頻寬記憶體 (HBM4) 12 層堆疊供應協商接近尾聲。HBM4 產品將首次搭載輝達 Rubin 平台晶片,雙方 Rubin 平台推出時程與供貨量確定後,會敲定首批供貨規模及最終價格。

SK 海力士去年第四季量產 HBM4 12 層堆疊,等輝達確定 Rubin 平台上市日期和供貨量,SK 海力士便會啟動量產。SK 海力士加速準備,包括下半年完工清州 M15x 晶圓廠導入新設備,建置 HBM4 產線。市場人士表示,為滿足輝達的需求,SK 海力士正擴充產能。

SK 海力士策略是先供應 HBM4 12 層堆疊鞏固 HBM 市場領先地位。市場研究公司 Counterpoint Research 資料,SK 海力士 HBM 市占率近 70%,但美光已進入輝達第五代 HBM (HBM3E) 8 層堆疊供應鏈,SK 海力士也藉 HBM4 拉大差距。三星正在樣品測試,也爭取進入輝達 HBM3E 供應鏈。

因為 SK 海力士有自信 HBM4 12 層堆疊市場取得優勢,故 HBM4 設計有變化,首度邏輯晶片 (logic die) 導入晶圓代工 (foundry) 製程。資料傳輸 I/O 通道量也增加一倍。SK 海力士沒有晶圓代工業務,邏輯晶片生產都委託台積電。

從 HBM4 開始,HBM 特性有變,走向客製化 HBM 市場。但同時也提到,與 HBM3E 12 層堆疊相較,HBM4 12 層堆疊製程差異不大,SK 海力士累積技術,對 HBM4 市場領先充滿信心。

SK 海力士 3 月向主客戶送樣 HBM4,測試順利。也有人擔憂輝達新 Rubin 平台的 AI 晶片推出時程可能延後。熟悉 SK 海力士的人透露,Rubin 平台首次搭載 HBM4 等元件,性能大幅提升,但價格也更高。供貨量將據客戶需求調整。

(首圖來源:SK 海力士)

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