突破卡關！三星 HBM3E 終通過輝達標準，逆勢進入下一代 HBM4 市場

韓國半導體業內人士透露，三星第五代 12 層高頻寬記憶體 HBM3E 產品終於通過 Nvidia 品質認證測試，預計不久後開始供應高階記憶體晶片，並有望打入下一代 HBM4 競爭鏈。

全球高效能運算市場需求快速擴增，特別是隨生成式 AI 模型、超級電腦、數位孿生技術（digital twin）催化，市場對 HBM 這類高頻寬低延遲記憶體需求也上升。

其中 HBM3E DRAM 是解決 AI 算力瓶頸關鍵記憶體技術，憑藉超過 1 TB/s 的匯流排速度，成為 NVIDIA、AMD、Intel 新一代 AI 晶片（如 NVIDIA H200/B100/B200、AMD MI350X）必備元件，沒有 HBM3E ，這些晶片的算力就無法完全釋放。

三星作為全球 3 家主要記憶體製造商之一，過去在 HBM 競爭中卻相對落後，SK 海力士去年 9 月率先開始量產 HBM3E 12 層晶片，其次為美光在今年第一季通過輝達認證，三星雖然已向超微出貨 HBM3E 12 層晶片，但從去年 2 月向輝達提供首批 HBM3E 12 層晶片樣品後，一直未能滿足輝達嚴格的性能要求。

就這樣拉扯長達 18 個月，韓國多家媒體近日報導業內人士透露，三星終於正式通過輝達 HBM3E 12 層晶片品質認證測試，將成第三家向輝達提供 HBM3E 12 層產品的公司。

不過 HBM 通常會提前 1 年預訂，而 SK 海力士、美光今年配額已全數售罄，腳步晚了 1 年半的三星預計短期供貨量有限，表現結果有待觀察，但通過輝達認證主要代表終於結束長期卡關局面，並拿到下一代高頻寬記憶體「入場券」，縮小與 SK 海力士、美光在第六代高頻寬記憶體 HBM4 競爭的差距，甚至某些技術指標可能出現反超。

HBM4 預計在輝達新一代圖形架構 Vera Rubin 首度亮相，輝達要求供應商將 HBM4 資料傳輸速度提升至每秒 10 Gbps 以上，消息人士透露三星已展示 11 Gbps 傳輸速度，超越 SK 海力士的 10 Gbps，美光則未達輝達要求；三星打算本月向輝達大量出貨 HBM4 樣品，盼早日獲得輝達認證。