韓國檢方抓到前三星員工向中國長鑫存儲洩漏先進 DRAM 製程秘密

韓國半導體產業正面臨嚴峻的人才與技術流失危機。根據 wccftech 的報導，韓國三星的前員工正迅速成為技術「篩子」，透過一系列精心策劃的知識產權洩漏行為，讓中國的記憶體廠長鑫存儲（CXMT）得以獲取關鍵的半導體技術。首爾中央地方檢察廳資訊技術犯罪調查部近日採取行動，逮捕了長鑫存儲的一名現任董事及另外四名員工，理由是他們涉嫌違反《工業技術保護法》。

此次案件的核心，在於 10 奈米級 DRAM 的生產技術。被捕的中國長鑫存儲董事曾是三星電子的員工，檢方指控該名前三星員工在長鑫存儲開發 10奈米 DRAM 過程中發揮了關鍵作用，這使得相關技術的流失對韓國產業造成了沉重打擊。

檢察官指出，三星電子在 5 年內投入了高達 1.6 兆還還（約 10.8 億美元）研發 10奈米製程的 DRAM 生產技術。 相較之下，長鑫存儲作為中國首家且唯一的 DRAM 半導體公司，在獲得了中國地方政府約 2.6 兆韓圜的投資，卻被指控在整個開發過程中欺詐性地使用了世界頂尖的韓國國產核心技術。

目前，DRAM 技術的競爭已進入白熱化階段。即便是韓國另一記憶體大廠 SK 海力士（SK hynix）也才剛自 2024 年底開始量產第六代 10奈米 DRAM。然而，長鑫存儲在獲取三星的機密後，其技術進程顯著加速。

韓國檢方揭露了中國長鑫存儲獲取技術的「周密計畫」。調查發現，長鑫存儲利用「空殼公司」作為掩護，誘騙並招聘三星電子的前核心技術人才。之後，一名三星前員工被發現洩露給了該公司「數百個製程步驟資訊」，並對這些資訊進行了修正與驗證，直接導致長鑫存儲在 2023 年成功量產其首款 DRAM。

另外，還有一名於 2016 年跳槽至長鑫存儲的前三星員工，則被控向這家中國記憶體大廠提供了大量關於 DRAM 技術的手寫資訊。

報導指出，該次事件這並非獨立事件。因為早在 2025 年 2 月，三星的一名前團隊經理就因向中國長鑫存儲洩露 18 奈米製程的 DRAM 商業秘密，已被韓國中央地方法院判處 7 年有期徒刑。韓國檢方估計，由於這些高階的技術外洩事件，韓國半導體產業的競爭力受損，損失金額已達數兆韓元（數十億美元）。

值得關注的是，長鑫存儲目前已成長為中國最大的記憶體半導體製造商，產品線涵蓋 DDR5 和 HBM3 等尖端產品。截至 2025 年底，該公司的產能已達到每月 28 萬片晶圓，約佔全球 DRAM 產量的 15%。

對於該事件，韓國法律界與產業界普遍認為，這反映了各國在半導體領域的軍備競賽已延伸至情報戰。韓國檢方強調，被告非法技術支援中國長鑫存儲的行為，嚴重威脅了韓國國家的技術領先地位。隨著司法程序的推進，韓國預計將進一步收緊對核心技術人才的流動監管，以防止國家支柱產業被進一步掏空。

(首圖來源：官網)