台積電扮 SK 海力士殺手鐧！HBM4E 邏輯晶片採 3 奈米性能超越三星

隨著全球人工智慧（AI）晶片競爭進入白熱化階段，高頻寬記憶體（HBM）的技術推進也迎來了前所未有的重大轉折。消息指出，韓國記憶體大廠 SK 海力士（SK Hynix）目前正積極的評估一項重大戰略，就是在其即將推出的第七代高頻寬記憶體（HBM4E）中，其邏輯晶片（Logic Die）的部分將全面主力採用台積電的 3 奈米製程技術。這項決策不僅象徵著 SK 海力士在尖端製程上的重大押注，更被外界視為是為了在效能上徹底擊敗競爭對手三星電子所祭出的關鍵殺手鐧。

根據韓國超鮮日報的報導，要理解 SK 海力士為何在 HBM4E 世代做出如此積極的製程升級，必須先回顧當前第六代 HBM4 的市場競爭態勢。據業界評估，SK 海力士雖然在 2026 年的 HBM4 市場中，憑藉著向 AI 晶片霸主輝達（Nvidia）供應最大占比數量，成功鞏固了其市場第一的龍頭寶座。然而在「絕對效能」的評價上，卻被認為略微落後於三星電子。

具體而言，SK 海力士 2026 年向輝達供應的 HBM4 產品，其在記憶體晶片上採用了 10 奈米等級的第五代（1b）DRAM 製程，而在負責運算處理的邏輯晶片，則是採用了台積電的 12 奈米製程。相對地，三星電子在 HBM4 的規格上顯得更為積極，其記憶體晶片採用了更先進的 10 奈米等級第六代（1c）DRAM 製程，邏輯裸片更是直接導入了 4 奈米先進製程。三星電子也曾對外宣布，憑藉著在 HBM4 導入領先於 SK 海力士的尖端製程，該公司在效能上佔據優勢，並達成了業界首批的量產出貨。

報導指出，為了扭轉在 HBM4 世代中「效能略遜一籌」的市場評價，SK 海力士決定在下一代的 HBM4E 祭出震撼業界的勝負手。根據業界透露，SK 海力士在 HBM4E 的整體架構規劃上，其堆疊的 DRAM 記憶體晶片將全面升級至 10 奈米等級的第六代（1c）DRAM 製程，而最關鍵的邏輯晶片，則將直接跳躍式地採用台積電的 3 奈米製程。

這項策略的轉變，凸顯了雖然 SK 海力士在 HBM4 世代上為了確保大規模量產的產品穩定性，選擇了專注於使用已經過市場充分驗證的成熟製程。然而，面對三星電子的步步進逼，SK 海力士在 HBM4E 世代的戰略目標已轉向以壓倒性的效能稱霸的方向，企圖藉由最尖端的製程技術，在激烈的技術競爭中重新奪回並確立絕對的優勢地位。

更值得注意的是，從 HBM4E 世代開始，業界預期客製化 HBM（Custom HBM）市場將迎接真正的爆發期。所謂的客製化 HBM，是指記憶體製造商將根據不同客戶的特定需求，量身打造與設計邏輯晶片的電路型態。半導體業界相關人士指出，在客製化 HBM4E 的趨勢下，為了滿足不同客戶的設計需求，邏輯晶片的製造實際上正廣泛評估包括 3 到 12 奈米在內的多種不同製程。儘管未來邏輯晶片可能適用多種不同的晶圓代工製程，但 SK 海力士的方針非常明確，對於市場供應佔比最大、且追求極致效能的 HBM4E 主力產品，將堅定地以 3 奈米製程作為核心主力。

報導強調，SK 海力士這項技術宣示的背後，是為了滿足全球頂尖科技巨頭對次世代AI算力深不見底的渴望。SK 海力士計畫將這款搭載3奈米邏輯晶片、具備最強效能的 HBM4E 產品，優先供應給需求量最龐大的核心客戶。據悉，輝達預計推出的次世代 AI 晶片「Vera Rubin」系列中，其最高階的旗艦版本「Vera Rubin Ultra」，就將正式搭載 HBM4E 記憶體。