韓媒傳出，由於良率未盡理想，三星電子（Samsung Electronics Co.）將「無限期」推遲次世代高頻寬記憶體「HBM5E」的量產時程。
Wccftech 22日引述韓國媒體IT Chosun報導，三星已延後10奈米級第7代DRAM（簡稱D1d）的初期量產計畫。三星原定今年第一季通過產前核可（pre-production approval，PRA）並進入實際試產階段，但據了解，由於良率未達預期，導致投資報酬率（ROI）惡化，該公司已決定無限期推遲量產。
熟悉三星內部消息的人士透露，三星管理階層近期針對D1d的良率與ROI進行評估，最終得出「不適合量產」的結論。由於製程難度呈幾何級數增加，在難以確保產品品質穩定的情況下，高層判斷不應貿然啟動生產線。
D1d是三星計劃應用於第9代高頻寬記憶體HBM5E的核心產品。雖然從第6代到第8代（HBM4、HBM4E、HBM5）仍可利用1c DRAM因應，但到了HBM5E階段，穩定供應D1d將成為必要條件。
Wccftech指出，1c DRAM目前被廣泛應用於HBM4、HBM4E及HBM5。其中，HBM4預計今年稍晚推出，搭載於輝達（Nvidia Corp.）的Vera Rubin及超微（AMD）的MI400平台；HBM4E預計將應用於Rubin Ultra與MI500加速器。另外，HBM5與客製化設計則預計會被輝達的Feynman系列及其他競爭方案採納。
（本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載；首圖來源：shutterstock）
科技新報粉絲團
加入好友
訂閱免費電子報
