傳蘋果開始測試長鑫存儲 DRAM，現實是擴產也難壓下記憶體價格

外媒《金融時報》（FT）引述兩位知情人士的話透露，蘋果已開始測試長鑫存儲 DRAM 晶片，計畫應用於中國市場銷售的裝置。此外，蘋果也帶頭遊說美國政府，希望允許美國科技公司更廣泛採用長鑫存儲的產品。

蘋果過去曾評估採用中國記憶體供應商，當時已遭美國政界強烈反對。針對是否正在測試長鑫存儲晶片一事，蘋果拒絕回應。

台灣 DSET 科技、民主與社會研究中心研究員 Emory Tsai-Yi Wang 指出，中國對長鑫存儲抱有極高期待，它是中國建立自主 AI 供應鏈國家戰略中不可或缺的一環。

近年全球記憶體供應吃緊，也徹底改變長鑫存儲的財務表現。根據其 IPO 招股書，公司今年第一季淨利達 330 億人民幣，相較過去 10 年累計虧損 370 億人民幣，可說出現戲劇性逆轉。

目前長鑫存儲已成為全球第四大 DRAM 製造商，僅次 SK 海力士、三星與美光，產品廣泛應用於智慧型手機、伺服器等各類電子設備。根據 SemiAnalysis 統計，長鑫存儲去年約占全球 DRAM 晶圓產能 11%，隨著合肥、上海與北京的新產線陸續投產，預估到 2028 年將提升至 15%。

雖然長鑫存儲持續快速擴產，但業界普遍認為新增的產能短期內仍難以壓低記憶體價格，原因在於目前幾乎所有產能都已被客戶預訂，而市場需求仍持續增加。

SemiAnalysis 記憶體分析師 Ray Wang 表示，外界普遍誤以為中國記憶體價格非常便宜，但實際是目前產能仍極度吃緊，即使長鑫存儲持續擴產，未來至少兩年仍將面臨供不應求的局面。

但若中國切入供應鏈，也可能重演太陽能與電動車產業的發展模式，即在政府大力補貼下快速擴充產能，最終導致價格大幅下滑，進而擠壓海外競爭者的獲利空間。對此，長鑫存儲拒絕回應。

雖然 DRAM 業務已讓長鑫存儲開始獲利，但能否成功打入 HBM 市場是更大考驗。根據分析師與知情人士的說法，長鑫存儲已將部分新建產線（包括上海新廠）配置用於 HBM，但目前 HBM 在中國市場的實際應用仍相當有限。此外，在美國於 2024 年祭出出口限制前，中國 AI 業者已提前大量囤積韓製 HBM，且禁令實施後，該記憶體仍透過走私流入中國。

由於無法獲得最先進 EUV 設備，長鑫存儲生產 HBM 成本也高於海外競爭對手。DSET 研究員 Emory Tsai-Yi Wang 認為，長鑫存儲目前良率仍偏低，必須不斷試產與修正來改善製程，這也提高中國企業導入相關技術的門檻。

不過市場普遍預期，長鑫存儲將利用傳統 DRAM 業務帶來的獲利，加上即將完成 IPO 募資，來支撐未來數年 HBM 技術研發與產能布局。