
日前第 70 屆 IEEE 國際固態電路會議 (ISSCC),南韓記憶體大廠 SK 海力士展示最新 300 層堆疊第八代 3D NAND Flash 快閃記憶體原型,令與會者大吃一驚。SK 海力士發表會標題為「高密度記憶體和高速介面」,描述如何提高固態硬碟性能,同時降低單 TB 成本。新 3D NAND Flash 快閃記憶體預定兩年內上市,有望打破紀錄。
SK 海力士展示 300 層堆疊 3D NAND Flash 原型,最快 2024 年問世 |
作者
Atkinson |
發布日期
2023 年 03 月 20 日 13:20 |
分類
IC 設計
, 半導體
, 晶片
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日前第 70 屆 IEEE 國際固態電路會議 (ISSCC),南韓記憶體大廠 SK 海力士展示最新 300 層堆疊第八代 3D NAND Flash 快閃記憶體原型,令與會者大吃一驚。SK 海力士發表會標題為「高密度記憶體和高速介面」,描述如何提高固態硬碟性能,同時降低單 TB 成本。新 3D NAND Flash 快閃記憶體預定兩年內上市,有望打破紀錄。
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