英特爾介紹下一代 GAA 技術,發展堆疊式 CFET 電晶體架構 作者 Atkinson | 發布日期 2023 年 05 月 23 日 9:40 | 分類 IC 設計 , 半導體 , 晶片 | edit Loading... Now Translating... 日前比利時安特衛普舉行的 ITF World 2023,英特爾技術開發總經理 Ann Kelleher 概述幾個關鍵領域最新發展,其一便是英特爾將採堆疊式 CFET 電晶體架構。這是英特爾首次公開介紹新電晶體設計,但未提到量產日期或時間表。 文章看完覺得有幫助,何不給我們一個鼓勵 請我們喝杯咖啡 想請我們喝幾杯咖啡? 每杯咖啡 65 元 x 1 x 3 x 5 x 您的咖啡贊助將是讓我們持續走下去的動力 總金額共新臺幣 0 元 《關於請喝咖啡的 Q & A》 留給我們的話 取消 確認 從這裡可透過《Google 新聞》追蹤 TechNews 科技新知,時時更新 科技新報粉絲團 加入好友 訂閱免費電子報 關鍵字: CFET , FinFET , GAA , RibbonFET , 英特爾