三星希望透過新鐵電材料，實現超過千層 NAND

三星電子計劃實現「PB 級」記憶體目標，高層曾預期，V-NAND 在 2030 年疊加千層以上。最新消息指三星考慮用新「鐵電」材料（Hafnia Ferroelectrics）實現目標，且可能是關鍵。

三星近期 NAND 市場計畫，包括高達 290 層的堆疊第九代 V-NAND 快閃記憶體，明年推 430 層第十代 NAND 記憶體。韓國研究人員於檀香山國際會議提到的最新解決方案，可能有助三星實現千層 NAND 技術，使 PB 級固態硬碟（SSD）目標不遠。

韓國科學技術院（KAIST）於全球超大型積體技術及電路國際會議展示鐵電材料研究成果。最近人們也對鐵電材料材料充滿興趣，尤其電腦產業，因鐵電特性可能有助開發更小、更高效的電容器和記憶體設備。

三星並沒有直接參與研發，但傳與其有直接關係，雖然還不能確定 Hafnia Ferroelectrics 是否導致 PB 級記憶體設備誕生，但可能發揮主導作用，最終達到里程碑。

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（首圖來源：三星）

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