SK 海力士（SK hynix）最新一代記憶體產品 HBM4E 醞釀中，2026 年有望量產，比原先預估的時程提早約一年。
韓媒《The Elec》報導，在生成式AI商機推動下，AI伺服器需求爆發，HBM成為搶手貨。率先量產HBM3E（第五代HBM）的SK海力士穩坐「HBM一哥」，目前正加速研發HBM4E腳步，試圖甩開三星、美光等來勢洶洶的後進對手。
SK海力士先前已經公布的計畫，是2027年量產HBM4E（第七代HBM）。不過，SK海力士先進HBM技術團隊主管Kwi Wook Kim 5月13日在首爾出席公開活動時表示，隨著技術進步，HBM產品更新換代的週期，已從兩年縮短至一年，目前預估HBM4E量產時點落在2026年，屆時將成為新的市場標配。
HBM4E是SK海力士首款採用第六代10奈米級1c DRAM堆疊的產品。
SK海力士穩居HBM市場霸主，為NVIDIA HBM主力供應商。2023年8月，SK海力士成功開發出全球首款HBM3E記憶體，應用在NVIDIA 2024年第二季出貨的新一代AI晶片H200，帶動股價拉出一波急漲。
2024年截至5月13日，SK海力士股價累計大漲29.89%。
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