三星否認修正 1b 製程並重新設計 1b DRAM 產品

韓國媒體 ETNews 報導，三星第五代 10 奈米級 1b 製程 DRAM 產品面臨良率和性能問題，2024 年底決定改善 1b 製程，同時重新設計 1b 製程。

市場觀察人士認為，三星修改 1b 製程 DRAM 來自市場壓力。競爭對手 SK 海力士和美光 HBM 高頻寬記憶體採 1b 製程 DRAM，三星仍在用第四代 10 奈米級 1a 製程。三星啟動名為 D1b-p 計畫，提高 DRAM 競爭力，p 代表 prime，象徵卓越品質，專注提高電源效率和散熱性能。

三星雖是 DRAM 市場龍頭，但面臨 SK 海力士和美光挑戰，兩家公司都成功商業化 1b 製程 DRAM，SK 海力士甚至 2024 年 8 月就完成第六代 10 奈米級 1c 製程 DRAM 開發。市場消息，三星 Galaxy S25 系列即將發表，美光為主要 DRAM 供應商，因三星尚未完全解決 1b 製程 LPDDR5X 良率和散熱問題。

三星否認報導，表示消息不實。因事件引發業界關注，突顯記憶體市場競爭多激烈。三星雖否認重新設計，但市場人士透露，三星目標是提升 1b 製程 DRAM 性能和良率。重新設計關係到製程調整，成本高昂且複雜，三星已緊急訂購設備，去年底完成安裝和測試，更新後 1b 製程 DRAM 今年第二或第三季量產。

(首圖來源：三星)