三星追趕 SK 海力士、傳 4 奈米邏輯晶粒良率逾 4 成

韓媒傳出，三星電子（Samsung Electronics Co.）支援次世代高頻寬記憶體「HBM4」的 4 奈米邏輯晶粒（logic die）測試良率已超過 40%。

朝鮮日報16日引述未具名消息來源報導，以三星4奈米製程製造的邏輯晶粒試產良率最近突破40%。相較之下，之前百度（Baidu）以同樣製程生產的晶片良率僅有15~19%。

一名業界高層表示，一開始的測試良率就有40%、是一個表現相當不錯的數字，足以支持公司推進商業計畫。一般來說，新製程的良率一開始只有約10%，之後會隨著量產逐步提升。

在HBM3E市場落後SK海力士（SK Hynix）、美光（Micron）的三星，如今把賭注押在HBM4。三星不像對手依靠台積電代工邏輯晶粒，而是運用自家的先進製程，能夠為全球科技巨擘客製化晶片、滿足量身訂製HBM日益增多的市場需求。

三星HBM4專案能否成功，端看其記憶體單位量產第六代10奈米等級（1c） DRAM晶片的能力。HBM4 12層產品結合了邏輯晶粒與1c DRAM。對手SK海力士的HBM4則是採用前一代的1b DRAM，若三星能穩定量產1c DRAM、則有望在效能方面取得優勢。

（本文由 MoneyDJ新聞 授權轉載；首圖來源：Samsung）

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