三星擴大 1c DRAM 產能，力拚 HBM4 超車競爭對手

HBM4 已成為記憶體大廠的新戰場，三星正藉由大規模的投資縮小與當前市場龍頭 SK 海力士的差距。ZDNet Korea 報導，三星計劃在韓國華城和平澤擴大 1c DRAM (第六代 10 奈米等級) 製程產線，投資年底啟動。

相較競爭對手 SK 海力士和美光選擇 1b DRAM (第五代 10 奈米等級) 製程技術做為 HBM4 的基礎技術，三星則更大膽押注更先進的 1c DRAM 製程技術，表明三星有信心提升 1c DRAM 製程技術的良率。此外，報導還指出，三星還考慮在 2025 年底前將華城 17 號生產線從 1z DRAM (第三代 10 奈米等級) 製程技術轉為 1c DRAM 製程技術生產，以進一步擴大產能。

三星 2025 年稍早已在平澤第四園區 (P4) 啟動首條 1c DRAM 製程技術產線，目標月產能為 3 萬片晶圓。之後若繼續擴產順利，月產能將有望提升至 4 萬片。

韓國《朝鮮日報》報導，三星 12 層堆疊的 HBM4 的關鍵 4 奈米邏輯晶片，試產達成超過 40% 良率。TrendForce 預測，受強勁市場需求的推動，2026 年 HBM 總出貨量將突破 300 億 GB。新 HBM4 將在 2026 下半年超越 HBM3e，成為市場主流解決方案。

(首圖來源：三星)