韓國媒體報導，處理器大廠 AMD 上週發表人工智慧 (AI) 晶片 MI350 系列搭載三星 12 層堆疊 HBM3E 高頻寬記憶體，對三星當然是好消息，因輝達 (NVIDIA) HBM 認證一直遭遇挫折。AMD 明年要推 MI400 系列晶片，也對三星的 HBM4 供應有所期待。
AMD 上週在美國舊金山聖荷西會議中心舉行的 AI Advancing 2025 活動，在當中宣布其新款 AI 加速器 MI350X 和 MI355X 將搭載三星電子和美光的 12 層堆疊 HBM3E 記憶體。這似乎是三星先前一直向 AMD 供應 HBM 記憶體之後，AMD 的首次確認。而因為 MI350X 和 MI355X 晶片本質上是相同的，僅在散熱設計上有所不同，這改變將影響其最大執行速度。所以，在兩款產品均配備 288GB 記憶體容量，較上一代 MI300X 的 192GB，以及較 MI325X 為 256GB 提升 12.5% 的情況下，其性能將有所提升。
另外，內建 8 個晶片的機架伺服器，將採用總計 2.3TB 的 HBM3E 記憶體。還有，AMD 也宣布了一項計畫，目的在提高內建多達 128 個 GPU 的伺服器機架的銷售量。因此，預計此計畫將帶來三星在 HBM 記憶體紹的大規模供應。
Business Korea 報導表示，HBM4 市場透露 2026 年全面開放，AMD 於 2026 年 MI400 系列 GPU 將搭配 432GB 的 HBM4 記憶體。還有預計將配置 72 片 MI400 系列 GPU 的 Helios 伺服器機架，每個機架將配備 31TB 的 HBM4 記憶體，其 AI 運算能力將是目前一代 MI355X 機架伺服器的 10 倍。AMD 執行長蘇姿丰在活動中強調，它的運算能力與 NVIDIA 的 Vera Rubin 機架伺服器機架相當，但 HBM 容量和頻寬是 Vera Rubin 機架伺服器的 1.5 倍。
JEDEC 規範確定後，HBM4 進入量產。三星和 SK 海力士年底量產 HBM4。三星本世代 HBM 競賽落後，決心憑 HBM4 扭轉局勢。SK 海力士和美光採第五代 10 奈米級（1b）開發 HBM4，三星則瞄準更先進第六代 10 奈米級（1c），力圖奪回記憶體市場領先地位。市場研究公司 Omdia 資料，2025 年第一季，SK 海力士占全球 DRAM 市占率 36.9%，其次是三星（34.4%）和美光（25%）。
韓國市場人士表示，如果三星無法憑 HBM4 強勢回歸，與 SK 海力士差距只會再擴大。AMD 也試圖以 MI400 系列縮小與 NVIDIA 的差距，故三星須繼續鞏固 MI350 系列開始建立的合作關係。
(首圖來源：科技新報)
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