狠甩 SK 海力士、美光！三星 10 奈米 DRAM 量產，記憶體脫離 20 奈米世代
作者 | 發布日期 2016 年 04 月 06 日 13:42 | 分類 晶片 , 會員專區 line share Linkedin share follow us in feedly line share
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狠甩 SK 海力士、美光！三星 10 奈米 DRAM 量產，記憶體脫離 20 奈米世代

相較於 SK 海力士、美光在 2015 年年中 20 奈米才導入量產，加速 20 奈米製程轉換，在 2016 年才要進入 18/16 奈米製程競賽的同時，早已搶先導入 20 奈米的三星，現在直接丟出 10 奈米 8 Gb DDR4 DRAM 量產的震撼彈，意圖大幅甩開對手糾纏。

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