2023 年末，ASML 向英特爾交貨了首套 High-NA EUV 微影曝光設備，型號為 TWINSCAN EXE:5000 的系統。英特爾將其做為試驗機，並於 2024 年在美國俄勒岡州的 Fab D1X 晶圓廠完成安裝。之後，該晶圓廠成為英特爾半導體技術研發基地，進一步研發使用 High-NA EUV 設備的技術與產品。
日前，英特爾進一步宣布，已安裝了更新的 ASML 的 TWINSCAN EXE:5200B 微影曝光設備，這是目前全球最先進的微影曝光設備，屬於第二 代High-NA EUV，將用於 Intel 14A 節點製程上。英特爾指出，在與 ASML 的合作下，已成功證明了最先進的微影曝光設備在提供改進的精度和生產力方面的技術可行性，為 High NA EUV 微影曝光設備未來的大量製造奠定了基礎。
根據資料，ASML 的 TWINSCAN EXE:5200B 微影曝光設備在標準條件下，產量可達到每小時 175 片晶圓，但英特爾計畫做進一步調整，提升至每小時 200 片晶圓以上。新系統還在英特爾過去一年多對 High-NA EUV 微影曝光設備的使用經驗之上，提升了套準精度達到了 0.7 奈米。
英特爾表示，High-NA EUV 微影曝光設備是其晶圓代工技術中的重要能力，結合了自身在掩模、蝕刻、解析度增強和計量等相關領域的技能，達成了當今晶片所需的更精細電晶體細節。對 IC 設計來說，這帶來了更靈活的設計規則，減少步驟和掩蔽次數的能力意味著流程更簡化，良品率更高，而且時間更短。目前英特爾仍處於早期階段，但這代表著在為客戶提升效率與生產力方面取得了積極進展。
(首圖來源：英特爾)
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