隨著 COMPUTEX 如火如荼地展開，從記憶體攤位上可以看出，三星正積極推進下一代 HBM5 開發，並計畫在新一代 DRAM 標準中導入名為 HPB（Heat Block Path，熱傳導路徑） 的全新散熱技術。
三星指出，隨著AI加速器效能、記憶體頻寬與功率密度快速提升，散熱管理已成為高效能AI系統發展的重要關鍵。HBM5 將首次採用 HPB 技術，該結構目的是高效分散和釋放堆疊晶片間產生的熱量。
三星半導體暨裝置解決方案（DS）部門技術長（CTO）宋在赫（音譯）指出，這是一種煙囪狀結構，增加了額外的熱通路，從而降低了熱阻，提高了運行穩定性。三星 HBM5 的優勢在於，透過新增獨立的熱傳導路徑，既能降低熱阻，又能提升運作穩定性，「這將在未來提升人工智慧系統的整體效能方面發揮重要作用」。
與此同時，SK 海力士先前也發表名為 iHBM 的新技術，透過在 HBM 內部整合冷卻元件（Integrated Cooling Elements，簡稱 ICE），提升高堆疊、高速 HBM 的散熱能力。
SK 海力士表示，連接 HBM 與 GPU 的 D2D PHY（實體互聯通道）區域的功率密度控制，已成為下一代 HBM 技術的核心競爭力。
SK 集團會長崔泰源在展會第一天接受媒體採訪，在談到 HBM 記憶體藍圖，他表示這將取決於客戶需求，當客戶準備好下一代產品時，集團也必須準備好對應技術與產能，「目前 HBM4E 只有一個客戶，所以完全取決於客戶的進度安排」。
同時，SK 海力士也介紹了 HBF 的優勢。
根據三星的展會介紹，HPB 將與 DRAM 堆疊（Core Die）並列設置於同一顆 Base Die 上，並透過 D2D PHY（Die-to-Die Physical Layer） 連接，透過額外配置一條獨立的熱傳導路徑，讓熱可以更有效率地向外傳導與散發，藉此可降低熱阻（Thermal Resistance）。三星目前已在 HBM4E 基礎上完成 HPB 技術驗證，並計劃從 HBM5 開始正式導入此技術。
這意味著，Base Die 會變得更大，以容納 Core Die 和 HPB/ICE 的空間，但最終是否會加大整個 HBM，仍有待觀察。
（首圖來源：科技新報）
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