中韓 HBM 技術差距「縮至 3 年」！傳長鑫存儲技術已達 HBM3

隨著中國持續尋求突破美國對高階極紫外光（EUV）設備出口限制之際，AI 晶片帶動的記憶體需求激增，也為中國記憶體廠商創造擴大市占率的機會。市場消息傳出，在中國政府大力扶植下，中韓兩國在高頻寬記憶體（HBM）領域的技術差距已縮小至約 3 年，而其中進展最快的企業便是長鑫存儲，該公司也計畫透過首次公開募股（IPO）籌集資金、加速擴張。

韓媒《首爾經濟日報》（Seoul Economic Daily）報導，中國在 HBM3 技術已追上韓國記憶體大廠三星與 SK 海力士。換言之，目前中國在記憶體技術落後韓廠約三個世代。

HBM3 主要用於輝達 H100 AI GPU，而 H100 也是最早受到美國出口管制、禁止銷售至中國市場的 AI 晶片之一。消息人士透露，雖然目前良率仍是限制因素，但從技術能力來看，長鑫存儲已具備生產 HBM3 的能力。

隨著中國政府大力支持長鑫存儲擴大產能，預計該公司到 2026 年底 HBM 月產能達 30 萬片 12 吋晶圓。

為了掌握 AI 記憶體市場快速成長所帶來的商機，長鑫存儲已獲准推動 IPO 計畫，預計籌資超過 40 億美元，以進一步擴大產能並強化技術研發能力。但業界普遍認為，即使長鑫存儲已具備 HBM3 技術，在良率、量產經驗、先進封裝生態系及客戶驗證等方面，與三星及 SK 海力士仍存在明顯差距，未來能否真正打入全球 AI GPU 供應鏈仍有待觀察。